主 讲 人 ：郝宏玥    副研究员

活动时间：11月30日10时00分    

地      点 ：理科群2号楼 A408

讲座内容：

高性能多谱段探测在高响应度、低噪声的基础上，通过宽带响应或多通道探测，包含更多的目标信息的同时，为目标探测提供了额外的维度，进而提高目标识别能力。在红外光电探测材料中，锑化物红外探测材料体系晶格失配度低，能带结构灵活可调，能实现低俄歇复合噪声、高载流子寿命等诸多优势，是红外探测领域的优选材料。本报告瞄准高性能多谱段锑化物红外探测器的研究进展，并介绍相关技术在焦平面成像芯片领域的研究成果。主要内容包括：传统的偏压调制型双波段锑化物红外探测器件的机理及相关研究成果；在传统单一波段锑化物红外探测器件的基础上，通过表面微纳结构加工工艺，在吸收区表面进行二维光子晶体结构制备，实现波长调制展宽至可见光波段；通过超表面结构设计与研发，与高精度图形转移技术相结合，代替传统光学透镜集成技术，实现片上集成超多谱段探测器制备；此外，通过能带结构及加工工艺技术创新，可以实现进一步低噪声高工作温度探测。相关研究工作为实现新一代低成本低噪声超多谱段焦平面探测阵列提供重要的技术基础。

主讲人介绍：

郝宏玥，中国科学院半导体研究所副研究员。2018年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2016年赴瑞典查尔姆斯理工大学访问一年，2018年赴德国于利希研究中心进行两年博士后研究工作。在锑化物半导体红外探测芯片的设计和研发领域展开了十余年的深入研究，研究内容主要包括可见至红外宽光谱红外探测器，超表面结构调控超多谱段红外探测器，锑化物II类超晶格短、中、长波及双波段红外探测器的制备及大面阵焦平面阵列芯片研发等。提出并实现国际首例光子晶体结构与InAs/GaSb超晶格结构结合的可见至中波红外探测器、光子晶体结构与InGaAsSb体材料结合的可见至短波红外探测器；成功研制超表面结构滤波型多谱段红外探测器件、低噪声平面结锑化物红外探测芯片；参与校企合作项目于2016年在国内率先攻克高性能长波及中长双色红外焦平面成像芯片。在相关领域发表论文数十篇，获批国家发明专利五项。